8월 21일 울프스피드(심볼 WOLF)에서 공시한 보도자료를 GPT-3.5 Turbo로 구동되는 씽크풀의 컨텐츠 생성 및 검수 시스템을 통해 요약한 정보입니다.
본 컨텐츠는 AI를 이용한 컨텐츠로, AI기술이 가진 구조적 한계를 가지고 있습니다.
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울프스피드, 4분기 및 2024 회계연도 전체 재무 실적 호조세 발표
- 울프스피드는 2024 회계연도 4분기에 2억100만 달러의 매출을 기록했으며, 모호크 밸리 팹은 4천1백만 달러를 기여했습니다.
- 회사는 같은 분기에 2400만 달러의 미활용 비용을 포함하여 GAAP 총 마진 1%, 비 GAAP 총 마진 5%를 기록했습니다.
- 2024 회계연도 전체에 대해 울프스피드는 8억 700만 달러의 매출을 기록했으며, GAAP 총 마진은 10%, 비GAAP 총 마진은 13%를 기록했습니다.
- 회사는 자본 구조를 최적화하고 200mm 팹의 성과를 높이는 데 주력하고 있으며, 디바이스 제조를 모호크 밸리로 이전하고 더럼 150mm 팹을 폐쇄할 계획입니다.
- 울프스피드는 또한 2025 회계연도 순 자본 지출을 2억 달러 절감하고 섹션 48D 세금 공제를 통해 10억 달러 이상의 현금 환급을 기대하고 있습니다.
[보도자료 원본 보기]
[기업개요]
유럽, 홍콩, 중국, 기타 아시아 태평양 지역, 미국 및 전 세계에서 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨(GaN) 기술에 중점을 둔 반도체 회사로 운영되고 있는 Wolfspeed. 이 회사는 실리콘 카바이드 베어 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼의 GaN 에피택셜 레이어 등 실리콘 카바이드 및 GaN 소재를 제공하여 RF, 전력 및 기타 애플리케이션용 제품을 제조합니다.
또한 고객과 유통업체가 충전 인프라로 구성된 전기 자동차, 서버 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치, 산업용 전원 공급 장치 및 기타 애플리케이션에 사용할 수 있도록 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 전력 모듈과 같은 전력 장치를 제공합니다.
또한 통신 인프라, 군사 및 기타 상업용 애플리케이션을 위한 GaN 기반 다이, 고전자 이동성 트랜지스터, 모놀리식 마이크로파 집적 회로, 측면 확산 MOSFET 전력 트랜지스터로 구성된 RF 장치를 제공합니다.
- 울프스피드는 2024 회계연도 4분기에 2억100만 달러의 매출을 기록했으며, 모호크 밸리 팹은 4천1백만 달러를 기여했습니다.
- 회사는 같은 분기에 2400만 달러의 미활용 비용을 포함하여 GAAP 총 마진 1%, 비 GAAP 총 마진 5%를 기록했습니다.
- 2024 회계연도 전체에 대해 울프스피드는 8억 700만 달러의 매출을 기록했으며, GAAP 총 마진은 10%, 비GAAP 총 마진은 13%를 기록했습니다.
- 회사는 자본 구조를 최적화하고 200mm 팹의 성과를 높이는 데 주력하고 있으며, 디바이스 제조를 모호크 밸리로 이전하고 더럼 150mm 팹을 폐쇄할 계획입니다.
- 울프스피드는 또한 2025 회계연도 순 자본 지출을 2억 달러 절감하고 섹션 48D 세금 공제를 통해 10억 달러 이상의 현금 환급을 기대하고 있습니다.
[보도자료 원본 보기]
[기업개요]
유럽, 홍콩, 중국, 기타 아시아 태평양 지역, 미국 및 전 세계에서 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨(GaN) 기술에 중점을 둔 반도체 회사로 운영되고 있는 Wolfspeed. 이 회사는 실리콘 카바이드 베어 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼의 GaN 에피택셜 레이어 등 실리콘 카바이드 및 GaN 소재를 제공하여 RF, 전력 및 기타 애플리케이션용 제품을 제조합니다.
또한 고객과 유통업체가 충전 인프라로 구성된 전기 자동차, 서버 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치, 산업용 전원 공급 장치 및 기타 애플리케이션에 사용할 수 있도록 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 전력 모듈과 같은 전력 장치를 제공합니다.
또한 통신 인프라, 군사 및 기타 상업용 애플리케이션을 위한 GaN 기반 다이, 고전자 이동성 트랜지스터, 모놀리식 마이크로파 집적 회로, 측면 확산 MOSFET 전력 트랜지스터로 구성된 RF 장치를 제공합니다.