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(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = 미국 반도체 장비업체 램리서치가 첨단 반도체 생산에 세계 최초로 몰리브덴을 활용하는 원자층 증착(ALD) 장비를 공개했다.

램리서치는 20일 반도체 박람회 '세미콘 2025'가 열린 서울 코엑스에서 기자간담회를 열어 몰리브덴 기반 ALD 장비 '알터스 할로(ALTUS Halo)'를 소개했다.

세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "램리서치의 금속 배선 공정 전문성을 바탕으로 개발한 알터스 할로는 20년 전 ALD를 선보인 이래 증착 분야에서 가장 획기적인 혁신을 이룬 제품"이라고 강조했다.

첨단 칩 제조에는 원자 단위의 금속 증착 기술이 필수다.

램리서치가 개발한 텅스텐 기반 ALD는 지난 20년간 금속 배선 기술의 업계 표준으로 자리 잡았다.

그러나 최근 고성능 차세대 낸드와 D램 등을 제조할 때 기존 텅스텐 집적을 넘어선 금속 배선 방식의 필요성이 대두되고 있다.

몰리브덴은 금속 배선에서 텅스텐보다 비저항(전류 흐름을 얼마나 거스르는지 측정한 물리량)이 낮다는 장점이 있다.

금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도는 빨라진다.

따라서 몰리브덴을 적용하면 공정 단계 축소와 효율성 개선, 칩 속도 향상 등이 가능해진다.

램리서치는 수십년간 축적한 금속 배선 공정과 증착 기술의 혁신을 바탕으로 몰리브덴 ALD를 양산에 적용하는 데 세계 최초로 성공했다.

알터스 할로는 낮은 비저항 및 무공극(void-free) 특성을 갖춘 몰리브덴 금속 배선을 통해 최첨단 반도체 소자를 위한 고정밀 증착을 구현한다.

기존 텅스텐 금속과 비교하면 일반적으로 50% 이상 향상된 저항을 제공한다.

램리서치는 "알터스 할로는 새로운 반도체 금속 배선 시대를 여는 신호탄"이라며 "미래의 인공지능(AI), 클라우드 컴퓨팅, 차세대 스마트 디바이스에 적합한 첨단 메모리 및 로직 칩 스케일링을 위한 기반을 제공한다"고 설명했다.

마이크론 등 3D 낸드 양산 업체들은 알터스 할로의 조기 도입을 시작했다.

램리서치는 D램 고객들과도 개발을 진행하고 있다.

마크 키엘바우흐 마이크론 개발 담당 부사장은 "몰리브덴 금속 배선 공정을 도입해 최신 낸드 제품에서 업계 최고 수준 입출력(I/O) 대역폭과 저장 용량을 갖춘 제품을 시장에 최초로 선보이게 됐다"고 말했다.

또 다른 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스 대상 장비 공급 여부에 대해 카이한 애쉬티아니 램리서치 ALD/CVD 금속 사업 부문장 겸 부사장은 "모든 고객사의 모든 소자에 대해 장비를 공급하며, 여기에는 당연히 한국 고객사도 포함된다"며 "검증 평가 중이거나 파일럿 단계인 고객사도 있다"고 말했다.

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